【FTJ-9】 次世代TFTのプロセス技術

酸化物TFT:最近の進展

［講師］　
東京工業大学
フロンティア研究センター 特任准教授
野村 研二

＜講演内容＞
TAOSはTFTに応用すると10cm²／（V.s）を超える移動度が容易に得られるので、70インチ、240Hz,UDのLCDが試作されるまでに至っている。本講演では安定性やPチャネルなど最近の進歩について紹介する。

＜講演者プロフィール＞
2001年 東京工業大学大学院 総合理工学研究科　博士課程修了（工学博士）。
日本学術振興会　特別研究員、科学技術振興機構ERATO-SORST博士研究員を経て、2010年4月より現職。日本応用物理学会研究奨励賞、米国Material Research Society Graduate Student Award （Gold）、手島記念発明賞などを受賞。専門は材料科学、酸化物半導体を用いた電子デバイスの開発および解析。

大型ガラス基板向け、IGZO酸化物半導体スパッタリングプロセス

［講師］　
（株）アルバック
千葉超材料研究所 第一研究部 部長
清田 淳也

＜講演内容＞
液晶ディスプレーを中心とした、パネルの高性能化（大画面化、高精細化、高周波数化）の中で、半導体層の高移動化の要求が高まっている。これらの要求に対して、ここ数年、IGZOを中心とした酸化物半導体の応用が注目を集めている。大型ガラス基板において、各種特性を評価したので紹介する。

＜講演者プロフィール＞
1990年　日本真空技術株式会社（現　（株）アルバック）に入社。第五事業部（電子部品、磁気記録媒体、FPD関連の真空装置）に配属。真空装置の開発に従事。1992年、千葉超材料研究所に転属し、現在に至る。主な開発テーマは、FPD用スパッタ装置、プロセス、ターゲット材料。

最新分光エリプソメトリーを利用したTFT解析技術の紹介

［講師］　
大日本スクリーン製造（株）
FPD機器カンパニー 計測技術課 課長
杉本 克雄

＜講演内容＞
分光エリプソメトリー技術は、非接触・非破壊・高精度な測定技術である。薄膜トランジスタ（アモルファスシリコン・ポリシリコン・微結晶シリコン・酸化物半導体）の膜厚・膜質解析事例を紹介する。

（敬称略）